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TPCC8009,LQ(O

TPCC8009,LQ(O

僅供參考

型號 TPCC8009,LQ(O
PNEDA編號 TPCC8009-LQ-O
描述 MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPCC8009資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCC8009,LQ(O
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPCC8009, TPCC8009數據表 (總頁數: 63, 大小: 1,617.96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L數據表 封面
TPCP8203(TE85L數據表 頁面 2 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 3 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 4 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 5 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 6 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 7 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 8 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 9 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 10 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 11

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TPCC8009規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1270pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1405pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 320µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.75Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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3.7Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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