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TPCC8066-H,LQ(S

TPCC8066-H,LQ(S

僅供參考

型號 TPCC8066-H,LQ(S
PNEDA編號 TPCC8066-H-LQ-S
描述 MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPCC8066-H資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCC8066-H,LQ(S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPCC8066-H規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta), 17W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Ta), 250A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.36mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.9W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

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