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TPCP8103-H(TE85LFM

TPCP8103-H(TE85LFM

僅供參考

型號 TPCP8103-H(TE85LFM
PNEDA編號 TPCP8103-H-TE85LFM
描述 MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 2 - 一月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPCP8103-H(TE85LFM資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCP8103-H(TE85LFM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPCP8103-H(TE85LFM規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIII-H
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)840mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PS-8 (2.9x2.4)
包裝/箱8-SMD, Flat Lead

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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15.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 15.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2819pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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