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TPH3R203NL,L1Q

TPH3R203NL,L1Q

僅供參考

型號 TPH3R203NL,L1Q
PNEDA編號 TPH3R203NL-L1Q
描述 MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 52,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPH3R203NL資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPH3R203NL,L1Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPH3R203NL規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVIII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)47A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 300µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2100pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta), 44W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱8-PowerVDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

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