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TPN11003NL,LQ

TPN11003NL,LQ

僅供參考

型號 TPN11003NL,LQ
PNEDA編號 TPN11003NL-LQ
描述 MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPN11003NL資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPN11003NL,LQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPN11003NL規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVIII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta), 19W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1320pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

465pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

54W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1230pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

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