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TSC5988CT B0G

TSC5988CT B0G

僅供參考

型號 TSC5988CT B0G
PNEDA編號 TSC5988CT-B0G
描述 TRANSISTOR NPN TO92
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSC5988CT B0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSC5988CT B0G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TSC5988CT B0G, TSC5988CT B0G數據表 (總頁數: 5, 大小: 235.52 KB)
PDFTSC5988CT B0G數據表 封面
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TSC5988CT B0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 200mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2A, 1V
功率-最大1W
頻率-過渡130MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92

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600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

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-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 1V

功率-最大

36W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 3mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 2mA, 4.5V

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