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TSC741CZ C0G

TSC741CZ C0G

僅供參考

型號 TSC741CZ C0G
PNEDA編號 TSC741CZ-C0G
描述 TRANSISTOR, NPN, 450V, 2.5A, 18A
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSC741CZ C0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSC741CZ C0G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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TSC741CZ C0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)450V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 600mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)250µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 100mA, 5V
功率-最大60W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 150mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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