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TSM055N03EPQ56 RLG

TSM055N03EPQ56 RLG

僅供參考

型號 TSM055N03EPQ56 RLG
PNEDA編號 TSM055N03EPQ56-RLG
描述 MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 24,414
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM055N03EPQ56 RLG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM055N03EPQ56 RLG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM055N03EPQ56 RLG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.1nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1210pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)74W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PDFN (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Ta), 270A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.7mOhm @ 61A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6500pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.3W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

56W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET功能

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功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

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