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TSM085N03PQ33 RGG

TSM085N03PQ33 RGG

僅供參考

型號 TSM085N03PQ33 RGG
PNEDA編號 TSM085N03PQ33-RGG
描述 MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM085N03PQ33 RGG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM085N03PQ33 RGG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM085N03PQ33 RGG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)52A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds817pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)37W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PDFN (3x3)
包裝/箱8-PowerWDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2850pF @ 6V

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功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

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