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TSM13ND50CI

TSM13ND50CI

僅供參考

型號 TSM13ND50CI
PNEDA編號 TSM13ND50CI
描述 500V 13A SINGLE N-CHANNEL POWER
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 31,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM13ND50CI資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM13ND50CI
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM13ND50CI規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs480mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1877pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)57W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ITO-220
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9800pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

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2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Tc)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

74A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

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