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TSM1NB60CW RPG

TSM1NB60CW RPG

僅供參考

型號 TSM1NB60CW RPG
PNEDA編號 TSM1NB60CW-RPG
描述 MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 21,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM1NB60CW RPG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM1NB60CW RPG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM1NB60CW RPG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.1nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds138pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)39W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

627pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3550pF @ 50V

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