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TSM680P06CH X0G

TSM680P06CH X0G

僅供參考

型號 TSM680P06CH X0G
PNEDA編號 TSM680P06CH-X0G
描述 MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 115,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM680P06CH X0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM680P06CH X0G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM680P06CH X0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs68mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)20W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-251 (IPAK)
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

112nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2826pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1225pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

工作溫度

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