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TSM7ND60CI

TSM7ND60CI

僅供參考

型號 TSM7ND60CI
PNEDA編號 TSM7ND60CI
描述 600V 7A SINGLE N-CHANNEL POWER M
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 30,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 11 - 一月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM7ND60CI資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM7ND60CI
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM7ND60CI規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1108pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ITO-220
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 23A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5075pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 54W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 69A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

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