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TT8K2TR

TT8K2TR

僅供參考

型號 TT8K2TR
PNEDA編號 TT8K2TR
描述 MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TT8K2TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TT8K2TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
TT8K2TR, TT8K2TR數據表 (總頁數: 12, 大小: 2,369.54 KB)
PDFTT8K2TR數據表 封面
TT8K2TR數據表 頁面 2 TT8K2TR數據表 頁面 3 TT8K2TR數據表 頁面 4 TT8K2TR數據表 頁面 5 TT8K2TR數據表 頁面 6 TT8K2TR數據表 頁面 7 TT8K2TR數據表 頁面 8 TT8K2TR數據表 頁面 9 TT8K2TR數據表 頁面 10 TT8K2TR數據表 頁面 11

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TT8K2TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds180pF @ 10V
功率-最大1.25W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-TSST

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208A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

功率-最大

781W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1810pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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制造商

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

150mW

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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