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TTC4116FU,LF

TTC4116FU,LF

僅供參考

型號 TTC4116FU,LF
PNEDA編號 TTC4116FU-LF
描述 NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 26 - 三月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TTC4116FU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TTC4116FU,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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TTC4116FU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 50V

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

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50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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