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TZX30B-TAP

TZX30B-TAP

僅供參考

型號 TZX30B-TAP
PNEDA編號 TZX30B-TAP
描述 DIODE ZENER 30V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.8410
500 ---------- $0.8015
1,000 ---------- $0.7621
2,500 ---------- $0.7227
5,000 ---------- $0.6899
10,000 ---------- $0.6570
庫存 2,566
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TZX30B-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TZX30B-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
TZX30B-TAP, TZX30B-TAP數據表 (總頁數: 7, 大小: 101.72 KB)
PDFTZX36X-TAP數據表 封面
TZX36X-TAP數據表 頁面 2 TZX36X-TAP數據表 頁面 3 TZX36X-TAP數據表 頁面 4 TZX36X-TAP數據表 頁面 5 TZX36X-TAP數據表 頁面 6 TZX36X-TAP數據表 頁面 7

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TZX30B-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)30V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)100 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 23V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

40nA @ 26.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

22V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 16.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

68V

公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

1 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 51V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-齊納(額定)(Vz)

60V

公差

±20%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

40 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 43V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

T-18

3EZ75D/TR12

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

75V

公差

±20%

功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

85 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 56V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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