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TZX8V2C-TAP

TZX8V2C-TAP

僅供參考

型號 TZX8V2C-TAP
PNEDA編號 TZX8V2C-TAP
描述 DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.8428
500 ---------- $0.8032
1,000 ---------- $0.7637
2,500 ---------- $0.7242
5,000 ---------- $0.6913
10,000 ---------- $0.6584
庫存 6,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TZX8V2C-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TZX8V2C-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
TZX8V2C-TAP, TZX8V2C-TAP數據表 (總頁數: 7, 大小: 101.72 KB)
PDFTZX36X-TAP數據表 封面
TZX36X-TAP數據表 頁面 2 TZX36X-TAP數據表 頁面 3 TZX36X-TAP數據表 頁面 4 TZX36X-TAP數據表 頁面 5 TZX36X-TAP數據表 頁面 6 TZX36X-TAP數據表 頁面 7

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TZX8V2C-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)8.2V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)20 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 6.2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

300 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 91V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

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2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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