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TZX9V1A-TR

TZX9V1A-TR

僅供參考

型號 TZX9V1A-TR
PNEDA編號 TZX9V1A-TR
描述 DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TZX9V1A-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TZX9V1A-TR
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
TZX9V1A-TR, TZX9V1A-TR數據表 (總頁數: 7, 大小: 101.72 KB)
PDFTZX36X-TAP數據表 封面
TZX36X-TAP數據表 頁面 2 TZX36X-TAP數據表 頁面 3 TZX36X-TAP數據表 頁面 4 TZX36X-TAP數據表 頁面 5 TZX36X-TAP數據表 頁面 6 TZX36X-TAP數據表 頁面 7

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TZX9V1A-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)9.1V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)20 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 6.8V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

9.1V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

39V

公差

±5%

功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

45 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 29.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

11 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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