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U1GWJ49(TE12L,F)

U1GWJ49(TE12L,F)

僅供參考

型號 U1GWJ49(TE12L,F)
PNEDA編號 U1GWJ49-TE12L-F
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A PWMINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 19 - 十一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

U1GWJ49(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號U1GWJ49(TE12L,F)
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
U1GWJ49(TE12L, U1GWJ49(TE12L數據表 (總頁數: 4, 大小: 214.26 KB)
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U1GWJ49(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果550mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 40V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PW-MINI
工作溫度-結點-40°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 700V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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-

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