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U3D-E3/57T

U3D-E3/57T

僅供參考

型號 U3D-E3/57T
PNEDA編號 U3D-E3-57T
描述 DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 29,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

U3D-E3/57T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號U3D-E3/57T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
U3D-E3/57T, U3D-E3/57T數據表 (總頁數: 4, 大小: 87.05 KB)
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U3D-E3/57T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)20ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

30pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

430mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

130µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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