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U430-E3

U430-E3

僅供參考

型號 U430-E3
PNEDA編號 U430-E3
描述 JFET DUAL P-CH 25V TO-78
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

U430-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號U430-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
U430-E3, U430-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 60.11 KB)
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U430-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)12mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

6V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2V @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 15V

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2.5mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

180mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

6mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

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20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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10V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 10V (VGS)

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