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UES706HR2

UES706HR2

僅供參考

型號 UES706HR2
PNEDA編號 UES706HR2
描述 DIODE GEN PURP 400V 20A DO4
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $872.3026
50 ---------- $831.4134
100 ---------- $790.5242
200 ---------- $749.6350
400 ---------- $715.5607
500 ---------- $681.4864
庫存 1,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UES706HR2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UES706HR2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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UES706HR2規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)20A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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45V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

113ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

-

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)

70mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 70V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

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