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UFS350G/TR13

UFS350G/TR13

僅供參考

型號 UFS350G/TR13
PNEDA編號 UFS350G-TR13
描述 DIODE GEN PURP 500V 3A DO215AB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UFS350G/TR13資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UFS350G/TR13
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UFS350G/TR13, UFS350G/TR13數據表 (總頁數: 2, 大小: 100.83 KB)
PDFUFS350G/TR13數據表 封面
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UFS350G/TR13規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)500V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 500V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-215AB, SMC Gull Wing
供應商設備包裝DO-215AB
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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150V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-262AA

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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DO-201AD

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電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.75mA @ 30V

電容@ Vr,F

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