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UG06D A1G

UG06D A1G

僅供參考

型號 UG06D A1G
PNEDA編號 UG06D-A1G
描述 DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UG06D A1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UG06D A1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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UG06D A1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)600mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 600mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)15ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F9pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝TS-1
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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系列

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二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-

1N5406RL

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AA, DO-27, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-213AA

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

350A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

BG-PB50ND-1

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