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UG06DHR0G

UG06DHR0G

僅供參考

型號 UG06DHR0G
PNEDA編號 UG06DHR0G
描述 DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UG06DHR0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UG06DHR0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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UG06DHR0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)600mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 600mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)15ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F9pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝TS-1
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

30pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

580mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 45V

電容@ Vr,F

10pF @ 10V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

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