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UG12JT-E3/45

UG12JT-E3/45

僅供參考

型號 UG12JT-E3/45
PNEDA編號 UG12JT-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UG12JT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UG12JT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UG12JT-E3/45, UG12JT-E3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 121.09 KB)
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UG12JT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.75V @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 12A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 650V

電容@ Vr,F

750pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 300V

電容@ Vr,F

600pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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