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UG12JTHE3/45

UG12JTHE3/45

僅供參考

型號 UG12JTHE3/45
PNEDA編號 UG12JTHE3-45
描述 DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UG12JTHE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UG12JTHE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UG12JTHE3/45, UG12JTHE3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 121.09 KB)
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UG12JTHE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.75V @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

2000A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 3400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AD

供應商設備包裝

Pow-R-Disc

工作溫度-結點

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

15V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

410mV @ 19A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 15V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

180pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.47V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 150V

電容@ Vr,F

950pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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