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UGB12JT-E3/81

UGB12JT-E3/81

僅供參考

型號 UGB12JT-E3/81
PNEDA編號 UGB12JT-E3-81
描述 DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 8,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UGB12JT-E3/81資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UGB12JT-E3/81
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UGB12JT-E3/81, UGB12JT-E3/81數據表 (總頁數: 5, 大小: 121.09 KB)
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UGB12JT-E3/81規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.75V @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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