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UGB18BCTHE3/45

UGB18BCTHE3/45

僅供參考

型號 UGB18BCTHE3/45
PNEDA編號 UGB18BCTHE3-45
描述 DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UGB18BCTHE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UGB18BCTHE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
UGB18BCTHE3/45, UGB18BCTHE3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 158.53 KB)
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UGB18BCTHE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)18A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 9A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

110ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 80V

工作溫度-結點

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安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

590mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.75mA @ 45V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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