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UGB8BTHE3/81

UGB8BTHE3/81

僅供參考

型號 UGB8BTHE3/81
PNEDA編號 UGB8BTHE3-81
描述 DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UGB8BTHE3/81資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UGB8BTHE3/81
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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UGB8BTHE3/81規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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600V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.8V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

150°C (Max)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

A, Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

VS-SD1100C20C

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

1400A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.31V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

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包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

53µA @ 420V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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