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UGB8CTHE3/45

UGB8CTHE3/45

僅供參考

型號 UGB8CTHE3/45
PNEDA編號 UGB8CTHE3-45
描述 DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UGB8CTHE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UGB8CTHE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UGB8CTHE3/45, UGB8CTHE3/45數據表 (總頁數: 4, 大小: 177.54 KB)
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UGB8CTHE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 150V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

310ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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