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UGB8HCT-E3/81

UGB8HCT-E3/81

僅供參考

型號 UGB8HCT-E3/81
PNEDA編號 UGB8HCT-E3-81
描述 DIODE ARRAY GP 500V 4A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UGB8HCT-E3/81資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UGB8HCT-E3/81
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
UGB8HCT-E3/81, UGB8HCT-E3/81數據表 (總頁數: 5, 大小: 144.13 KB)
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UGB8HCT-E3/81規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)500V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.75V @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 500V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 45V

工作溫度-結點

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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