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UGE18CCT-E3/45

UGE18CCT-E3/45

僅供參考

型號 UGE18CCT-E3/45
PNEDA編號 UGE18CCT-E3-45
描述 DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UGE18CCT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UGE18CCT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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UGE18CCT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)18A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 150V
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 650V

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 400A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 45V

工作溫度-結點

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 150V

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

115ns

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