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UGF8JT-E3/45

UGF8JT-E3/45

僅供參考

型號 UGF8JT-E3/45
PNEDA編號 UGF8JT-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 12,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UGF8JT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UGF8JT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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UGF8JT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.75V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
供應商設備包裝ITO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

750ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

105ns

當前-反向泄漏@ Vr

8µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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