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UH2BHE3_A/H

UH2BHE3_A/H

僅供參考

型號 UH2BHE3_A/H
PNEDA編號 UH2BHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UH2BHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UH2BHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UH2BHE3_A/H, UH2BHE3_A/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 85.75 KB)
PDFUH2CHE3_A/H數據表 封面
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UH2BHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 100V
電容@ Vr,F42pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 40V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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