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UH3B-M3/57T

UH3B-M3/57T

僅供參考

型號 UH3B-M3/57T
PNEDA編號 UH3B-M3-57T
描述 DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UH3B-M3/57T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UH3B-M3/57T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UH3B-M3/57T, UH3B-M3/57T數據表 (總頁數: 4, 大小: 83.72 KB)
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UH3B-M3/57T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)2.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)40ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F42pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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