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UH6PJHM3_A/I

UH6PJHM3_A/I

僅供參考

型號 UH6PJHM3_A/I
PNEDA編號 UH6PJHM3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UH6PJHM3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UH6PJHM3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UH6PJHM3_A/I, UH6PJHM3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 84.35 KB)
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UH6PJHM3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3V @ 6A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1200V

電容@ Vr,F

660pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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安裝類型

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