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ULN2064B

ULN2064B

僅供參考

型號 ULN2064B
PNEDA編號 ULN2064B
描述 TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 17,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2064B資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2064B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2064B規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型4 NPN Darlington (Quad)
當前-集電極(Ic)(最大值)1.75A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.4V @ 2mA, 1.25A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-20°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝16-PowerDIP (20x7.10)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 200mA, 2V

功率-最大

2.75W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

330mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 10V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

16-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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