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ULN2803APG,CN

ULN2803APG,CN

僅供參考

型號 ULN2803APG,CN
PNEDA編號 ULN2803APG-CN
描述 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2803APG資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2803APG,CN
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2803APG規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型8 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 350mA, 2V
功率-最大1.47W
頻率-過渡-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱18-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝18-DIP

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150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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