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UMF23NTR

UMF23NTR

僅供參考

型號 UMF23NTR
PNEDA編號 UMF23NTR
描述 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 9 - 一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMF23NTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMF23NTR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
UMF23NTR, UMF23NTR數據表 (總頁數: 5, 大小: 79.19 KB)
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UMF23NTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz, 140MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝UMT6

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

100mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

500mW

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

6-TSSOP

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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300mV @ 250µA, 5mA

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