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UMG4N-7

UMG4N-7

僅供參考

型號 UMG4N-7
PNEDA編號 UMG4N-7
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMG4N-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMG4N-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
UMG4N-7, UMG4N-7數據表 (總頁數: 3, 大小: 223.39 KB)
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UMG4N-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝SOT-353

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電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

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Surface Mount

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6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

安裝類型

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電阻-基本(R1)

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47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

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250mV @ 300µA, 10mA

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