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UPA1952TE-T1-A

UPA1952TE-T1-A

僅供參考

型號 UPA1952TE-T1-A
PNEDA編號 UPA1952TE-T1-A
描述 MOSFET P-CH SC-95
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UPA1952TE-T1-A資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UPA1952TE-T1-A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
UPA1952TE-T1-A, UPA1952TE-T1-A數據表 (總頁數: 10, 大小: 201.45 KB)
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UPA1952TE-T1-A規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds272pF @ 10V
功率-最大1.15W (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-95
供應商設備包裝SC-95

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta), 2.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC, 12.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF, 1550pF @ 25V

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

88pF @ 10V

功率-最大

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Surface Mount

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 13V

功率-最大

2.8W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc), 18A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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