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UPA2351T1P-E4-A

UPA2351T1P-E4-A

僅供參考

型號 UPA2351T1P-E4-A
PNEDA編號 UPA2351T1P-E4-A
描述 MOSFET N-CH DUAL LGA
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UPA2351T1P-E4-A資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UPA2351T1P-E4-A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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UPA2351T1P-E4-A規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.7A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.1nC @ 4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds523pF @ 10V
功率-最大1.3W (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-XFLGA
供應商設備包裝4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

755pF @ 25V

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 14µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 10V

功率-最大

54W

工作溫度

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