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UPA2379T1P-E1-A

UPA2379T1P-E1-A

僅供參考

型號 UPA2379T1P-E1-A
PNEDA編號 UPA2379T1P-E1-A
描述 MOSFET 2N-CH 12V
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UPA2379T1P-E1-A資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UPA2379T1P-E1-A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
UPA2379T1P-E1-A, UPA2379T1P-E1-A數據表 (總頁數: 11, 大小: 305.39 KB)
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UPA2379T1P-E1-A規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.8W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFLGA
供應商設備包裝6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.56nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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2.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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