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US1B-E3/61T

US1B-E3/61T

僅供參考

型號 US1B-E3/61T
PNEDA編號 US1B-E3-61T
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 79,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US1B-E3/61T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US1B-E3/61T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
US1B-E3/61T, US1B-E3/61T數據表 (總頁數: 5, 大小: 85.17 KB)
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US1B-E3/61T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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200V

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70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 219.8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

電容@ Vr,F

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