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US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

僅供參考

型號 US1GHE3_A/I
PNEDA編號 US1GHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 283,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US1GHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US1GHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
US1GHE3_A/I, US1GHE3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 85.17 KB)
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US1GHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

65µA @ 120V

電容@ Vr,F

130pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 60V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 240A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 30V

電容@ Vr,F

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