US1J M2G
僅供參考
型號 | US1J M2G |
PNEDA編號 | US1J-M2G |
描述 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
制造商 | Taiwan Semiconductor Corporation |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 2,142 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸) |
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US1J M2G規格
制造商 | Taiwan Semiconductor Corporation |
系列 | - |
二極管類型 | Standard |
電壓-直流反向(Vr)(最大值) | 600V |
電流-平均整流(Io) | 1A |
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 | 1.7V @ 1A |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
反向恢復時間(trr) | 75ns |
當前-反向泄漏@ Vr | 5µA @ 600V |
電容@ Vr,F | 10pF @ 4V, 1MHz |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | DO-214AC, SMA |
供應商設備包裝 | DO-214AC (SMA) |
工作溫度-結點 | -55°C ~ 150°C |
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