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US6J2TR

US6J2TR

僅供參考

型號 US6J2TR
PNEDA編號 US6J2TR
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US6J2TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US6J2TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
US6J2TR, US6J2TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 51.95 KB)
PDFUS6J2TR數據表 封面
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US6J2TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.1nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds150pF @ 10V
功率-最大1W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5155pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 12V

功率-最大

1.5W (Ta)

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 16V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40mA, 16mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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