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USB10H

USB10H

僅供參考

型號 USB10H
PNEDA編號 USB10H
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

USB10H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號USB10H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
USB10H, USB10H數據表 (總頁數: 5, 大小: 67.4 KB)
PDFUSB10H數據表 封面
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USB10H規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds441pF @ 10V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 15V

功率-最大

3.1W, 2.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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