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UT6J3TCR

UT6J3TCR

僅供參考

型號 UT6J3TCR
PNEDA編號 UT6J3TCR
描述 -20V PCH+PCH POWER MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 27,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UT6J3TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UT6J3TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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UT6J3TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2000pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-PowerUDFN
供應商設備包裝HUML2020L8

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24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1605pF @ 20V

功率-最大

1.7W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA, 410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.2mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1945pF @ 10V

功率-最大

3.1W

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安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta), 410mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V, 62pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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